Физико-математические науки

ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ И ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ КОМПОЗИЦИИ ФОСФИДА ИНДИЯ TECHNOLOGY OF RECEIVING AND PRODUCTION OF FIELD TRANSISTORS WITH SHOTTKY’S LOCK ON THE BASIS OF PHOSPHIDE COMPOSITION INDIA

Kamolov I.R., Kanatbayev S.S., Kamalova D.I., Mukhammadiyeva M.

Email: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript.

Kamolov Ikhtiyor Ramazonovich - Candidate of the technical sciences, assistant professor;

Kanatbayev Sagidat Saduovich – Assistant,

 DEPARTMENT METHODS TEACHING PHYSICISTS AND ASTRONOMIES, NAVOI STATE PEDAGOGICAL INSTITUTE,

NAVOI;

Kamalova Dilnavoz Ikhtiyorovna - P.G. Student,

STATE UNITARY ENTERPRISE “FAN VA TARAQQIYOT”,

TASHKENT STATE TECHNICAL UNIVERSITY, TASHKENT;

Mukhammadiyeva Makhliyo – Master,

DEPARTMENT METHODS TEACHING PHYSICISTS AND ASTRONOMIES,

NAVOI STATE PEDAGOGICAL INSTITUTE, NAVOI,

REPUBLIC OF UZBEKISTAN

Abstract: in this article the technology of receiving effective metal Shottky field effect transistors on the basis of phosphide composition India (InP) is considered and influence of chemical treatment on superficial properties of phosphide India is investigated. It is defined that chemical treatment really is an important factor of management of the superficial properties of phosphide India (InP) leading to change practically of all physical and chemical and mechanical parameters of contacts gold (metal) – India phosphide (Au – n – InP). Processing in solutions on the basis of inorganic acids gives InP surface with the minimum thickness of own oxide which nanometer dok = 0,45 ÷ 0,7 is equal. Solutions on the basis of alkalis, to H2O2 ÷ H2O and Br2 ÷ CH2COOH leave on a surface after processing rather thick own InP oxide, nanometer dok =1,25 ÷ 2,5. InP surface before metal deposition needs to be processed in acid solutions on the basis of HF, HCl, H2SO4, H3PO4.

In ours a research influence of chemical treatment on parameters of composition M – InP was estimated on VAC (volt-ampere characteristic) and VСС (volt – capacitive characteristic) contacts of Au – n – InP (100) (S = 4·10-2 cm2) created by method thermal dusting gold (Au) on n – InP substrates (Na – Na of 1018 cm3) which are at a temperature of 403÷423 ºК. As chemical reagents which can have an impact on an initial condition of a surface solutions were used.

Keywords: composition, India phosphide, surface, chemical treatment, acid, alkali, temperature, properties, radiation resistant.

Kамолов И.Р., Канатбаев С.С., Камалова Д.И., Мухаммадиева М.

Kамолов Ихтиёр Рамазонович - кандидат технических наук, доцент;

Kaнатбаев Сагидат Садуович – преподаватель,

 кафедра методики преподавания физики и астрономии,

Навоийский государственный педагогический институт,

г. Навои;

Kaмалова Дилнавоз Ихтиёровна – докторант,

 Государственное унитарное предприятие “Фан ва тараккиёт” при Ташкентском государственном техническом университете, г. Ташкент;

Mухаммадиева Махлиё – магистр,

 кафедра методики преподавания физики и астрономии,

Навоийский государственный педагогический институт, г. Навои,

Республика Узбекистан

Аннотация: в данной статье рассматривается технология получения эффективных полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе композиции фосфида индия (InP) и исследовано влияние химической обработки на поверхностные свойства фосфида индия. Определено, что химическая обработка действительно является важным фактором управления поверхностными свойствами фосфида индия (InP), приводящими к изменению практически всех физико – химических и механических параметров контактов золото (металл) – фосфид индия (Au – n – InP). Обработка в растворах на основе неорганических кислот дает поверхность InP с минимальной толщиной собственного оксида, которая равна dok = 0,45 ÷ 0,7 нм. Растворы на основе щелочей, H2O2 ÷ H2O и Br2 ÷ CH2СООН оставляют на поверхности после обработки достаточно толстый собственный оксид InP, dok = 1,25 ÷ 2,5 нм. Поверхность InP перед осаждением металла необходимо обрабатывать в кислотных растворах на основе HF, HCl, Н2SO4, Н3РО4.

В нашем исследовании влияние химической обработки на параметры композиции М – InP оценивалось по ВАХ (вольт-амперная характеристика) и ВЕХ (вольт – ёмкостная характеристика) контактов Аu – n – InP (100) (S = 4 · 10-2 cм2) сформированными методом термического напыление золота (Au) на подложки n – InP (Na - Na 1018 см-3), находящиеся при температуре 403÷423 ºК. В качестве химических реагентов, которые могут оказывать влияние на первоначальное состояние поверхности, использовались растворы. 

Ключевые слова: композиция, фосфид индия, поверхность, химическая обработка, кислота, щелочь, температура, свойства, радиационно-стойким.

References / Список литературы

1. Milne A., Foykht D. “Heterojunctions and transitions metal semiconductor”. M. Mir, 1975. 432 p.
2. Yamaguchi M. Commentson "Thermal oxidation of InP and popertties of oxide". J. Appl. Phys., 1982. V. 53. № 3. Р. 1834-1835.
3. Bakhadirkhanov M.K., Ibragimov Sh.B., Kamalov I.R. “Influence of chemical treatment on superficial states and electro physical characteristics of Au-n-InP of structures”. Electronic processing material. Chisinau, 2004. № 2. 92-95 pp.

Ссылка для цитирования данной статьи

		Тип лицензии на данную статью – CC BY 4.0. Это значит, что Вы можете свободно цитировать данную статью на любом носителе и в любом формате при указании авторства.
Ссылка для цитирования. Kамолов И.Р., Канатбаев С.С., Камалова Д.И., Мухаммадиева М. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ И ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ КОМПОЗИЦИИ ФОСФИДА ИНДИЯ [TECHNOLOGY OF RECEIVING AND PRODUCTION OF FIELD TRANSISTORS WITH SHOTTKY’S LOCK ON THE BASIS OF PHOSPHIDE COMPOSITION INDIA] // X INTERNATIONAL SCIENTIFIC REVIEW OF THE PROBLEMS OF NATURAL SCIENCES AND MEDICINE Свободное цитирование при указании авторства: https://scientific-conference.com/grafik/grafik-2019-pervoe-polugodie.html  (Boston, USA - 03 April, 2019). с. {см. сборник}

Поделитесь данной статьей, повысьте свой научный статус в социальных сетях